一、两边出pin的封装
dip：双列直插封装（dual in-line package） 如图： sop：（small out-line package小外形封装）是一种很常见的元器件形式。 如图：
ssop：(shrink small-outline package)即窄间距小外型塑封。 如图：
tsop：（thin small outline package），即薄型小尺寸封装。 如图：
二、四边出pin的封装
qfp：（plastic quad flat package）方型扁平式封装技术，该技术实现的cpu芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在100以上。 （注意：qfp系列四边都会出pin, 而sop系列两边出pin） tqfp：(thin quad flat package）即薄塑封四角扁平封装。
lqfp：（low-profile quad flat package）即薄型qfp，指封装本体厚度为1.4mm的qfp，是日本电子机械工业会制定的新qfp外形规格所用的名称。
tqfp和lqfp的区别：
1、封装厚度不一样：
lqfp为1.4mm 厚，tqfp为1.0mm 厚。
2、尺寸不一样：
tqfp系列支持宽泛范围的印模尺寸尺寸范围从7mm到28mm，lqfp尺寸更小。
3、引线数量不一样：
tqfp引线数量从32到256，lqfp其引脚数一般都在100以上。
三、pin脚隐藏的封装
plcc：(plastic leaded chip carrier),带引线的塑料芯片载体封装。 注意：这种封装的引脚在芯片底部向内弯曲，因此在芯片的俯视图中是看不见芯片引脚的。这种芯片的焊接采用回流焊工艺，需要专用的焊接设备，在调试时要取下芯片也很麻烦，现在已经很少用了。 qfn（quad flat no-leadpackage），方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为lcc。（厚度在0.9mm左右） bga封装：(ball grid array package)，球栅阵列封装。
四、其他封装
sot封装：sot是一种表面贴装的封装形式，一般引脚小于等于5个的小外形晶体管。一般是元器件封装。
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在了解mos管三个工作区之前，先了解一下mos管三个工作区分别是什么？下面讲述mos管场效应管的四个区域： 一、可变电阻区（也称非饱和区） 二、恒流区（也称饱和区、放大区、有源区） 三、夹断区（也称截止区） 四、击穿区位
（1）可变电阻区（也称非饱和区） 满足ucs》ucs（th）（开启电压），uds《ugs-ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域uds值较小，沟道电阻基本上仅受ugs控制。当ugs一定时，ip与uds成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管d、s间相当于一个受电压ugs控制的可变电阻。
（2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区） 满足ucs≥ucs（h）且ubs≥ucsussth），为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域，在该区域内，当ugs一定时，ib几乎不随uds而变化，呈恒流特性。i仅受ugs控制，这时场效应管d、s间相当于一个受电压ugs控制的电流源。场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域，所以也称为放大区。
（3）夹断区（也称截止区） 夹断区（也称截止区）满足ucs《ues（th）为图中靠近横轴的区域，其沟道被全部夹断，称为全夹断，io=0，管子不工作。
（4）击穿区位 击穿区位于图中右边的区域。随着uds的不断增大，pn结因承受太大的反向电压而击穿，ip急剧增加。工作时应避免管子工作在击穿区。
转移特性曲线可以从输出特性曲线。上用作图的方法求得。例如在下图（a）中作ubs=6v的垂直线，将其与各条曲线的交点对应的i、us值在ib- uss 坐标中连成曲线，即得到转移性曲线，如图下（b）所示。（a）输出特性 （b）转移特性 mos管线性区、完全导通区的电场和电流分布
mosfet的漏极导通特性如图1所示，其工作特性有mos管三个工作区：截止区、线性区和完全导通区。其中，线性区也称恒流区、饱和区、放大区;完全导通区也称可变电阻区。mosfet的漏极导通特性
通常mosfet工作于开关状态，在截止区和完全导通区之间高频切换，由于在切换过程中要经过线性区，因此产生开关损耗。对于热插拨、负载开关、分立ldo的调整管等这一类的应用，mosfet较长时间或一直在线性区工作，因此工作状态不同。
功率mosfet在完全导通区和线性区工作时候，都可以流过大的电流。理论上，功率mosfet是单极型器件，n沟道的功率mosfet，只有电子电流，没有空穴电流，但是，这只是针对完全导通的时候;在线性区，还是会同时存在电子和空穴二种电流，如图2、图3和图4分别所示，完全导通区和线性区工作时，电势、空穴和电流线分布图。
mos管在线性区工作时，器件同时承受高的电压和高的电流时，会产生下面的问题：
1、内部的电场大，注入更多的空穴。 2、有效的沟道宽度比完全导通时小。 3、改变vth和降低击穿电压。 4、vth低，电流更容易倾向于局部的集中，形成热点;负温度系数特性进一步恶化局部热点。
功率mosfet工作在线性区时，器件承受高的电压，耗尽层高压偏置导致有效的体电荷减小;工作电压越高，内部的电场越高，电离加强产生更多电子-空穴对，形成较大的空穴电流。特别是如果工艺不一致，局部区域达到临界电场，会产生非常强的电离和更大的空穴电流，增加寄生三极管导通的风险。
mos管的夹断区和饱和区的区别是什么 栅极电压可以产生沟道，也可以使沟道消失——夹断；而源-漏电压也有可能使mosfet的沟道夹断（局部夹断），则沟道夹断的电压对应有两个电压。一般，产生或者夹断沟道的栅极电压称为阈值电压vt，而使沟道夹断的源-漏电压往往称为饱和电压vsat，因为这时的源-漏电流最大、并饱和（即与源-漏电压无关）。
（1） 耗尽型n-mosfet： 耗尽型mosfet在栅极电压为0时即存在沟道。当负栅电压增大到使沟道夹断（整个沟道均匀夹断）时，这时的栅电压就称为夹断电压vp——耗尽型mosfet的阈值电压。
在vgs>vp时，ids=0，即为截止状态。
在vgs
（2）增强型n-mosfet： 增强型mosfet在栅极电压为0时即不存在沟道。当正栅电压增大到出现沟道时，这时的栅极电压特称为开启电压vop——增强型mosfet的阈值电压。
在vgs
在vgs>vop时，存在沟道，ids≠0：若vds较低，则为线性导电状态；若vds≥ (vgs－vop)时，则沟道在漏极端附近处夹断（非整个沟道夹断），漏极电流达到最大、并饱和，mosfet即进入饱和状态。沟道开始夹断时的源-漏电压即为饱和电压vsat= (vgs－vop)。
（3）沟道夹断以后的导电性： 场效应晶体管是依靠多数载流子在沟道中的导电来工作的。没有沟道（栅极电压小于阈值电压时），即不导电——截止状态。出现了沟道（栅极电压大于阈值电压时），即可导电；并且在源-漏电压增大到使得沟道在漏极端夹断以后，其电流达到最大——饱和电流，即导电性能更好。为什么集电区能够很好地导电？
因为沟道夹断区实际上就是载流子被耗尽的区域，其中存在有沿着沟道方向的电场，所以只要有载流子到达夹断区边缘，就很容易被扫过夹断区而到达漏极——输出电流。可见，沟道夹断区与bjt的反偏集电结的势垒区类似，不但不起阻挡载流子的作用，而且还将有利于载流子的通过。因此，沟道夹断以后，器件的输出电流饱和，即达到最大。
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