电容器的基本特性是“通交流、隔直流”。所以在电路中可用作耦合、滤波、旁路、去耦…… 。电容器的容抗是随频率增高而下降；电感的感抗是随频率增高而增大。所以在电容、电感的串联或并联电路中，总会有一个频率下容抗与感抗的数值相等，这时就产生谐振现象。所以电容与电感可以用来制作滤波器(低通、高通、带通)、陷波器、均衡器等。用在振荡电路中，制作lc、rc振荡电路。滤波电容并接在整流后的电源上，用于补平脉冲直流的波形。 ??? 耦合电容连接在交流放大电路级与级之间作信号通路，因为放大电路的输入端和输出端都有直流工作点，采用电容耦合可隔断直流通过工作点，耦合电容其实就是起隔直作用，所以也叫隔直电容； ??? 旁路电容作用与滤波电容相似，但旁路电容不是接在电源上，而是接在电子电路的某一工作点，用于滤去谐振或干扰产生的杂波； ??? 滤波电容、感性负载供电线路上的补偿电容、lc谐振电路上的电容都是起储能作用。
如何选择电路中的电容
通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。1.滤波电容整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。滤波电容用于功率放大器时，其值应为10000μf以上，用于前置放大器时，容量为1000μf左右即可。当电源滤波电路直接供给放大器工作时，其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻抗从10khz附近开始上升。这时应采取几个稍小电
通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用 各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。 1.滤波电容 整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。滤波电容用于功率放大器 时，其值应为10000μf 以上，用于前置放大器时，容量为1000μf左右即可。 当电源滤波电路直接供给放大器工作时，其容量越大音质越好。但大容量的电容将使阻 抗从 10khz 附近开始上升。这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄 膜电容，在大电容旁以抑制高频阻抗的上升，如下图所示。 图 1 滤波电路的并联 2.耦合电容 耦合电容的容量一般在0.1μf~ 1μf 之间，以使用云母、 丙烯、陶瓷等损耗较小的 电容音质效果较好。 3.前置放大器、分频器等 前置放大器、音频控制器、分频器上使用的电容，其容量在100pf~0.1μf之间，而扬 声器分频 lc 网络一般采用 1μf~ 数10μf 之间容量较大的电容，目前高档分频器中采 用cbb电容居多。 小容量时宜采用云母，苯乙烯电容。而 lc 网络使用的电容，容量较大，应使用金属化 塑料薄膜或无极性电解电容器，其中无机性电解电容如采用非蚀刻式，则更能获取极佳 音质。 电容的基础知识 ——————————————
一、电容的分类和作用
电容(electriccapacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同：
按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。
按极性分为：有极性电容和无极性电容。 我们最常见到的就是电解电容。
电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐
二、电容的符号
电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“＋”符号代表正极。
三、电容的单位
电阻的基本单位是：f （法），此外还有μf（微法）、pf（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nf（），由于电容 f 的容量非常大，所以我们看到的一般都是μf、nf、pf的单位，而不是f的单位。 他们之间的具体换算如下：
1f＝1000000μf
1μf=1000nf=1000000pf
五、电容的耐压 单位：v（伏特）
每一个电容都有它的耐压值，这是电容的重要参数之一。普通无极性电容的标称耐压值有：63v、100v、160v、250v、400v、600v、1000v等，有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低，一般的标称耐压值有：4v、6.3v、10v、16v、25v、35v、50v、63v、80v、100v、220v、400v等。
六、电容的种类
电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：cbb电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。下表是各种电容的优缺点：
各种电容的优缺点：
极性 名称制作 优点 缺点
无 无感cbb电容 2层聚丙乙烯塑料和 无感，高频特性 不适合做大容量， 2层金属箔交替夹杂 好，体积较小 价格比较高 然后捆绑而成。 耐热性能较差。
无 cbb电容 2层聚乙烯塑料和有感，其他同上?br /> 2层金属箔交替夹杂 然后捆绑而成。
无 瓷片电容薄瓷片两面渡金属膜 体积小，耐压高， 易碎！容量低 银而成。 价格低，频率高 （有一种是高频电容）
无 云母电容云母片上镀两层金属 容易生产，技术 体积大，容量小， 薄膜 含量低温度稳定 （几乎没有用了） 性好
无 独石电容体积比cbb更小， 其他同cbb，有感
有 电解电容两片铝带和两层绝缘 容量大。 高频特性不好。 膜相互层叠，转捆后 浸泡在电解液（含酸 性的合成溶液）中。
有 钽电容用金属钽作为正极， 稳定性好，容量大， 造价高。（一般 在电解质外喷上金属 高频特性好。 用于关键地方） 作为负极。
七、电容的标称及识别方法
由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法。
如果是 10n，那么就是10nf，同样100p就是100pf。如果是4n7就是4.7nf
不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，即指数标识，容量单位为pf，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1 pf=470pf。
瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pf。
钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡f。
（电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢！）
色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pf） 颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。
电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负。 电阻电容序列值 电容容值系列
【单位pf】 3 p 5 p 8 p 10 p12p15p20 p 39 p 43 p 47 p 51 p 56 p 62 p 68 p 75 p 82 p 91 p 100p 120p150p 180p200p220p 240p270p 300p 330p 360p 390p 470p 560p 620p680p750p
【单位nf】 1.0 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82
【单位uf】 0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2 3.3 电容的计算方法是这样的： ax表示a（一般两位数）乘上10的x次方pf,因此，104就是0.1uf.
电阻的表示方法也是这样的。 如103的电阻表示10 000欧姆，即10k，102也就是1k。
有的电容标号474，那么就表示0.47uf加上一些：
电容的基本知识
从事电子电路设计开发的，既有有多年经验的老手，也有刚入道的新手。每个人都对单片机、dsp、嵌入式系统投入了大量的时间和精力去研究，但是对于电路设计中应用最多、最广泛的元器件－－电容，又有多少人能搞的很清楚呢？而这正是很多新手的疑惑之一，面对众多的电容类型：钽电解、铝电解、独石、薄膜、陶瓷、纸介质等，各种各样的封装形式：贴片、针式、方块、不规则等，不同的应用领域：去耦、滤波、高频、低频、谐振、开关电源中的应用等，您是否能做出正确的选择呢？建议大家多加补充，一方面相互学习，另一方面对新手也是一个帮助。在下抛砖引玉，引用其它网站的一些文章，（该网站名已经记不得了，现对其表示感谢）
名称：聚酯（涤纶）电容（cl） 符号： 电容量：40p--4u 额定电压：63--630v 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路
名称：聚苯乙烯电容（cb） 符号： 电容量：10p--1u 额定电压：100v--30kv 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路
名称：聚丙烯电容（cbb） 符号： 电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000v 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
名称：云母电容（cy） 符号： 电容量：10p--0。1u 额定电压：100v--7kv 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路
名称：高频瓷介电容（cc） 符号： 电容量：1--6800p 额定电压：63--500v 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路
名称：低频瓷介电容（ct） 符号： 电容量：10p--4。7u 额定电压：50v--100v 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 应用：要求不高的低频电路
名称：玻璃釉电容（ci） 符号： 电容量：10p--0。1u 额定电压：63--400v 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 应用：脉冲、耦合、旁路等电路
名称：铝电解电容 符号： 电容量：0。47--10000u 额定电压：6。3--450v 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等
名称：但电解电容（ca）铌电解电容（cn） 符号： 电容量：0。1--1000u 额定电压：6。3--125v 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容
名称：空气介质可变电容器 符号： 可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用：电子仪器，广播电视设备等
名称：薄膜介质可变电容器 符号： 可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广播接收机等
名称：薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小 应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿
名称：陶瓷介质微调电容器 符号： 可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小，体积较小 应用：精密调谐的高频振荡回路
独石电容最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了. 独石电容的特点： 电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。 应用范围： 广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 容量范围： 0.5pf--1uf 耐压：二倍额定电压。 里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型 性能挺好，但容量小，一般小于0。2u，另一种叫 ii型，容量大，但性能一般。
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电容在电路中的作用及电容滤波原理
电容器在电子电路中几乎是不可缺少的储能元件，它具有隔断直流、连通交流、阻止低频的特性。广泛应用在耦合、隔直、旁路、滤波、调谐、能量转换和自动控制等电路中。熟悉电容器在不同电路中的名称意义，有助于我们读懂电子电路图。
?1、滤波电容：接在直流电源的正、负极之间，以滤除直流电源中不需要的交流成分，使直流电变平滑。
一般采用大容量的电解电容器或钽电容，也可以在电路中同时并接其他类型的小容量电容以滤除高频交流电。
2、去耦电容：幷接在放大电路的电源正、负极之间，防止由于电源内阻形成的正反馈而引起的寄生震荡。
3、耦合电容：接在交流信号处理电路中，用于连接信号源和信号处理电路或者作两放大器的级间连接，用以隔断直流，让交流信号或脉冲信号通过，使前后级放大电路的直流工作点互不影响。
4、旁路电容：接在交、直流信号的电路中，将电容并接在电阻两端或由电路的某点跨接到公共电位上，为交流信号或脉冲信号设置一条通路，避免交流信号成分因通过电阻产生压降衰减。
5、调谐电容：连接在谐振电路的振荡线圈两端，起到选择振荡频率的作用。
6、衬垫电容与谐振电容：主电容串联的辅助性电容，调整它可使振荡信号频率范围变小，幷能显著地提高低频端的振荡频率。
是当地选定衬垫电容的容量，可以将低端频率曲线向上提升，接近于理想频率跟踪曲线。
7、补偿电容：与谐振电路主电容并联的辅助性电容，调整该电容能使振荡信号频率范围扩大。
8、中和电容：并接在三极管放大器的基极与发射极之间，构成负反馈网络，以抑制三极管间电容造成的自激振荡。
9、稳频电容：在振荡电路中起稳定振荡频率的作用。
10、定时电容：在rc时间常数电路中与电阻r串联，共同决定充放电时间长短的电容。
11、加速电容：接在振荡器反馈电路中，使正反馈过程加速，提高振荡信号的幅度。
12、缩短电容：在uhf高频头电路中，为了缩短振荡电感器长度而串接的电容。
13、克拉泼电容：在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈串联的电容，起到消除晶体管结电容对频率稳定性影响的作用。
14、锡拉电容：在电容三点式振荡电路中，与电感振荡线圈两端并联的电容，起到消除晶体管结电容的影响，使振荡器在高频端容易起振。
15、稳幅电容：在鉴频器中，用于稳定输出信号的幅度。
16、预加重电容：为了避免音频调制信号在处理过程中造成对分频量衰减和丢失，而设置的rc高频分量提升网络电容。
17、去加重电容：为恢复原伴音信号，要求对音频信号中经预加重所提升的高频分量和噪声一起衰减掉，设置在rc网络中的电容。
18、移相电容：用于改变交流信号相位的电容。
19、反馈电容：跨接于放大器的输入与输出端之间，使输出信号回输到输入端的电容。
20、降压限流电容：串联在交流电回路中，利用电容对交流电的容抗特性，对交流电进行限流，从而构成分压电路。
21、逆程电容：用于行扫描输出电路，并接在行输出管的集电极与发射极之间，以产生高压行扫描锯齿波逆程脉冲，其耐压一般在1500v以上。
22、校正电容：串接在偏转线圈回路中，用于校正显像管边缘的延伸线性失真。
23、自举升压电容：利用电容器的充、放电储能特性提升电路某点的电位，使该点电位达到供电端电压值的2倍。
24、消亮点电容：设置在视放电路中，用于关机时消除显像管上残余亮点的电容。
25、软启动电容：一般接在开关电源的开关管基极上，防止在开启电源时，过大的浪涌电流或过高的峰值电压加到开关管基极上，导致开关管损坏。
26、启动电容：串接在单相电动机的副绕组上，为电动机提供启动移相交流电压。在电动机正常运转后与副绕组断开。
27、运转电容：与单相电动机的副绕组串联，为电动机副绕组提供移相交流电流。在电动机正常运行时，与副绕组保持串接。
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电阻滤波电路 rc-π型滤波电路，实质上是在电容滤波的基础上再加一级rc滤波电路组成的。如图1(b)rc滤波电路。若用s表示c1两端电压的脉动系数，则输出电压两端的脉动系数s=(1/ωc2r)s。 由分析可知，电阻r的作用是将残余的纹波电压降落在电阻两端，最后由c2再旁路掉。在ω值一定的情况下，r愈大，c2愈大，则脉动系数愈小，也就是滤波效果就越好。而r值增大时，电阻上的直流压降会增大，这样就增大了直流电源的内部损耗；若增大c2的电容量，又会增大电容器的体积和重量，实现起来也不现实。这种电路一般用于负载电流比较小的场合. 电感滤波电路 ??????? 根据电抗性元件对交、直流阻抗的不同，由电容c及电感l所组成的滤波电路的基本形式如图1所示。因为电容器c对直流开路，对交流阻抗小，所以c并联在负载两端。电感器l对直流阻抗小，对交流阻抗大，因此l应与负载串联。
???????? （a）电容滤波????????????? ?? （b）?? c-r-c或rc-π型电阻滤波 脉动系数s=(1/ωc2r')s' ?????????????? （c）?? l-c电感滤波?????????????????????????????????? （d） π型滤波或叫c-l-c滤波 ??????????????????????????????????????????????? 图1 无源滤波电路的基本形式 ? ?
并联的电容器c在输入电压升高时，给电容器充电，可把部分能量存储在电容器中。而当输入电压降低时，电容两端电压以指数规律放电，就可以把存储的能量释放出来。经过滤波电路向负载放电，负载上得到的输出电压就比较平滑，起到了平波作用。若采用电感滤波，当输入电压增高时，与负载串联的电感l中的电流增加，因此电感l将存储部分磁场能量，当电流减小时，又将能量释放出来，使负载电流变得平滑，因此，电感l也有平波作用。 利用储能元件电感器l的电流不能突变的特点，在整流电路的负载回路中串联一个电感，使输出电流波形较为平滑。因为电感对直流的阻抗小，交流的阻抗大，因此能够得到较好的滤波效果而直流损失小。电感滤波缺点是体积大,成本高. 桥式整流电感滤波电路如图2所示。电感滤波的波形图如图2所示。根据电感的特点，当输出电流发生变化时，l中将感应出一个反电势，使整流管的导电角增大，其方向将阻止电流发生变化。 ???????????????????????????? 图2电感滤波电路 ??????? 在桥式整流电路中，当u2正半周时，d1、d3导电，电感中的电流将滞后u2不到90°。当u2超过90°后开始下降，电感上的反电势有助于d1、d3继续导电。当u2处于负半周时，d2、d4导电，变压器副边电压全部加到d1、d3两端，致使d1、d3反偏而截止，此时，电感中的电流将经由d2、d4提供。由于桥式电路的对称性和电感中电流的连续性，四个二极管d1、d3；d2、d4的导电角θ都是180°，这一点与电容滤波电路不同。 图3电感滤波电路波形图 已知桥式整流电路二极管的导通角是180°，整流输出电压是半个半个正弦波，其平均值约为 。电感滤波电路，二极管的导通角也是180°，当忽略电感器l的电阻时，负载上输出的电压平均值也是 。如果考虑滤波电感的直流电阻r，则电感滤波电路输出的电压平均值为 ?????????????????????????????? 要注意电感滤波电路的电流必须要足够大，即rl不能太大，应满足wl>>rl，此时io（av）可用下式计算 ???????????????????????????????? 由于电感的直流电阻小，交流阻抗很大，因此直流分量经过电感后的损失很小，但是对于交流分量，在wl和 上分压后，很大一部分交流分量降落在电感上，因而降低了输出电压中的脉动成分。电感l愈大，rl愈小，则滤波效果愈好，所以电感滤波适用于负载电流比较大且变化比较大的场合。采用电感滤波以后，延长了整流管的导电角，从而避免了过大的冲击电流。 电容滤波原理详解 1．空载时的情况 当电路采用电容滤波，输出端空载，如图4(a)所示，设初始时电容电压uc为零。接入电源后，当u2在正半周时，通过d1、d3向电容器c充电；当在u2的负半周时，通过d2、d4向电容器c充电，充电时间常数为 ????????????? （a）电路图?????????????????????????????????????? ???? （b）波形图 ???????????????????????????????? 图4 空载时桥式整流电容滤波电路 式中 包括变压器副边绕组的直流电阻和二极管的正向导通电阻。由于 一般很小，电容器很快就充到交流电压u2的最大值 ，如波形图2（b） 的时刻。此后，u2开始下降，由于电路输出端没接负载，电容器没有放电回路，所以电容电压值uc不变，此时，uc＞u2，二极管两端承受反向电压，处于截止状态，电路的输出电压，电路输出维持一个恒定值。实际上电路总要带一定的负载，有负载的情况如下。 2．带载时的情况 图5给出了电容滤波电路在带电阻负载后的工作情况。接通交流电源后，二极管导通，整流电源同时向电容充电和向负载提供电流,输出电压的波形是正弦形。在 时刻，即达到u2 90°峰值时，u2开始以正弦规律下降，此时二极管是否关断，取决于二极管承受的是正向电压还是反向电压。 先设达到90°后，二极管关断，那么只有滤波电容以指数规律向负载放电，从而维持一定的负载电流。但是90°后指数规律下降的速率快，而正弦波下降的速率小，所以超过90°以后有一段时间二极管仍然承受正向电压，二极管导通。随着u2的下降，正弦波的下降速率越来越快，uc 的下降速率越来越慢。所以在超过90°后的某一点，例如图5(b)中的t2时刻，二极管开始承受反向电压，二极管关断。此后只有电容器c向负载以指数规律放电的形式提供电流，直至下一个半周的正弦波来到，u2再次超过uc，如图5(b)中的t3时刻，二极管重又导电。 以上过程电容器的放电时间常数为 ??? 电容滤波一般负载电流较小，可以满足td较大的条件，所以输出电压波形的放电段比较平缓，纹波较小，输出脉动系数s小，输出平均电压uo(av)大，具有较好的滤波特性。 ?????????????????? （a）电路图?????????????????????????????? （b）波形图 ???????????????????????????????? 图5带载时桥式整流滤波电路 ??????? 以上滤波电路都有一个共性,那就是需要很大的电容容量才能满足要求,这样一来大容量电容在加电瞬间很有很大的短路电流,这个电流对整流二极管,变压器冲击很大,所以现在一般的做法是在整流前加一的功率型ntc热敏电阻来维持平衡,因ntc热敏电阻在常温下电阻很大,加电后随着温度升高，电阻阻值迅速减小,这个电路叫软起动电路。这种电路缺点是：断电后，在热时间常数内， ntc热敏电阻没有恢复到零功率电阻值，所以不宜频繁的开启。 ???????? 为什么整流后加上滤波电容在不带负载时电压为何升高？这是因为加上滤波测得的电压是含有脉动成分的峰值电压，加上负载后就是平均值，计算：峰值电压=1.414×理论输出电压 有源滤波-电子电路滤波 电阻滤波本身有很多矛盾,电感滤波成本又高,故一般线路常采用有源滤波电路,电路如图6。它是由c1、r、c2组成的π型rc滤波电路与有源器件晶体管t组成的射极输出器连接而成的电路。由图6可知，流过r的电流ir=ie／(1 β)=irl／(1 β)。流过电阻r的电流仅为负载电流的1/(1 β)．所以可以采用较大的r，与c2配合以获得较好的滤波效果，以使c2两端的电压的脉动成分减小，输出电压和c2两端的电压基本相等，因此输出电压的脉动成分也得到了削减。 从rl负载电阻两端看，基极回路的滤波元件r、c2折合到射极回路，相当于r减小了(1 β)倍，而c2增大了(1 β)倍。这样所需的电容c2只是一般rcπ型滤波器所需电容的1／β，比如晶体管的直流放大系数β=50，如果用一般rcπ型滤波器所需电容容量为1000μf，如采用电子滤波器，那么电容只需要20μf就满足要求了。采用此电路可以选择较大的电阻和较小的电容而达到同样的滤波效果，因此被广泛地用于一些小型电子设备的电源之中。
? 电容自谐振频率表 2009-02-02 16:13
根据lc电路串联谐振的原理，谐振点不仅与电感有关，还与电容值有关，电容越大，谐振点越低。许多人认为电容器的容值越大，滤波效果越好，这是一 种误解。电容越大对低频干扰的旁路效果虽然好，但是由于电容在较低的频率发生了谐振，阻抗开始随频率的升高而增加，因此对高频噪声的旁路效果变差。表1是 不同容量瓷片电容器的自谐振频率，电容的引线长度是1.6mm（你使用的电容的引线有这么短吗？）。 表1
电容值 自谐振频率（mhz） 电容值 自谐振频率（mhz） 1m f 1.7 820 pf 38.5 0.1m f 4 680 pf 42.5 0.01m f 12.6 560 pf 45 3300pf 19.3 470 pf 49 1800 pf 25.5 390 pf 54 1100pf 33 330 pf 60 ???
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电磁兼容设计中，有关旁路电容和耦合电容学习
从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。? ?旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。（转）去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μf。这个电容的分布电感的典型值是5μh。0.1μf的去耦电容有5μh的分布电感，它的并行共振频率大约在7mhz左右，也就是说，对于10mhz以下的噪声有较好的去耦效果，对40mhz以上的噪声几乎不起作用。1μf、10μf的电容，并行共振频率在20mhz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μf左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按c=1/f，即10mhz取0.1μf，100mhz取0.01μf。分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响，尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容，制造时一定会产生，只是大小的问题。布高速pcb时，过孔可以减少板层电容，但会增加电感。分布电感是指在频率提高时，因导体自感而造成的阻抗增加.电容器选用及使用注意事项：1，一般在低频耦合或旁路，电气特性要求较低时，可选用纸介、涤纶电容器；在高频高压电路中，应选用云母电容器或瓷介电容器；在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器。2，在振荡电路、延时电路、音调电路中，电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网（选频网络），电容器容量要求精确；在退耦电路、低频耦合电路中，对同两级精度的要求不太严格。3，电容器额定电压应高于实际工作电压，并要有足够的余地，一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。4，优先选用绝缘电阻高，损耗小的电容器，还要注意使用环境。 ( m, m3 g1 l; v. [3 u??a! _#x$ u~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~` 3 [) w' q3 ~* a% _. @我们知道，一般我们所用的电容最重要的一点就是滤波和旁路，我在设计中也正是这么使用的。对于高频杂波，一般我的经验是不要过大的电容，因为我个人认为，过大的电容虽然对于低频的杂波过滤效果也许比较好，但是对于高频的杂波，由于其谐振频率的下降，使得对于高频杂波的过滤效果不很理想。所以电容的选择不是容量越大越好。 $ f??|! j" }7 z6 ~) a疑问点： . y# x5 y* o& e$ ~. a1。以上都是我的经验，没有理论证实，希望哪位可以在理论在帮忙解释一下是否正确。或者推荐一个网页或者网站。 8 u1 k6 v??a9 g' d6 b 2。是不是超过了谐振频率，其阻抗将大大增加，所以对高频的过滤信号，其作用就相对减小了呢？ 0 h9 u/ p8 x$ [4 d3 v9 r 3。理想的滤波点是不是在谐振频率这点上？？？（没有搞懂中） 8 o1 y. ^1 l9 a4。以前只知道电容的旁路作用是隔直通交，现在具体于pcb设计中，电容的这一旁路作用具体体现在哪里？ , w2 z. e- f! f1 c; a6 m/ s( _- i& h ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~; t s9 o) d??r. g: w; z( y! d9 `, u 在用电容抑制电磁骚扰时，最容易忽视的问题就是电容引线对滤波效果的影响。电容器的容抗与频率成反比，正是利用这一特性，将电容并联在信号线与地线之间起到对高频噪声的旁路作用。然而，在实际工程中，很多人发现这种方法并不能起到预期滤除噪声的效果，面对顽固的电磁噪声束手无策。出现这种情况的一个原因是忽略了电容引线对旁路效果的影响。 实际电容器的电路模型是由等效电感（esl）、电容和等效电阻（esr）构成的串联网络。 理想电容的阻抗是随着频率的升高降低，而实际电容的阻抗是图1所示的网络的阻抗特性，在频率较低的时候，呈现电容特性，即阻抗随频率的增加而降低，在某一点发生谐振，在这点电容的阻抗等于等效串联电阻esr。在谐振点以上，由于esl的作用，电容阻抗随着频率的升高而增加，这是电容呈现电感的阻抗特性。在谐振点以上，由于电容的阻抗增加，因此对高频噪声的旁路作用减弱，甚至消失。 电容的谐振频率由esl和c共同决定，电容值或电感值越大，则谐振频率越低，也就是电容的高频滤波效果越差。esl除了与电容器的种类有关外，电容的引线长度是一个十分重要的参数，引线越长，则电感越大，电容的谐振频率越低。因此在实际工程中，要使电容器的引线尽量短。 # o$ u9 u- i3 ]0 q2 y3 c 根据lc电路串联谐振的原理，谐振点不仅与电感有关，还与电容值有关，电容越大，谐振点越低。许多人认为电容器的容值越大，滤波效果越好，这是一种误解。电容越大对低频干扰的旁路效果虽然好，但是由于电容在较低的频率发生了谐振，阻抗开始随频率的升高而增加，因此对高频噪声的旁路效果变差。表1是不同容量瓷片电容器的自谐振频率，电容的引线长度是1.6mm（你使用的电容的引线有这么短吗？）。表1电容值 自谐振频率（mhz） 电容值 自谐振频率（mhz）1m f 1.7 820 pf 38.50.1m f 4 680 pf42.50.01m f 12.6 560 pf 453300pf 19.3 470 pf 491800 pf 25.5 390 pf 541100pf 33330 pf 60 尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整电容的容量，使谐振点刚好落在骚扰频率上。 % ?3 t, z2 {3 ~" k
从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。. p' _4 p% ]; x8 s8 w6 k% o. y 去藕电容就是起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。 * u/ p: n' j {旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 & e- g2 o# t& }0 p8 l去耦和旁路都可以看作滤波。正如ppxp所说，去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。电容一般都可以看成一个rlc串联模型。在某个频率，会发生谐振，此时电容的阻抗就等于其esr。如果看电容的频率阻抗曲线图，就会发现一般都是一个v形的曲线。具体曲线与电容的介质有关，所以选择旁路电容还要考虑电容的介质，一个比较保险的方法就是多并几个电容。 6 v3 d$ v! k" h2 f/ g5 |去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μf。这个电容的分布电感的典型值是5μh。0.1μf的去耦电容有5μh的分布电感，它的并行共振频率大约在7mhz左右，也就是说，对于10mhz以下的噪声有较好的去耦效果，对40mhz以上的噪声几乎不起作用。1μf、10μf的电容，并行共振频率在20mhz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μf左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按c=1/f，即10mhz取0.1μf，100mhz取0.01μf。" n8 [# _! v$ p" y, h! u# c7 t 一般来说，容量为uf级的电容，象电解电容或钽电容，他的电感较大，谐振频率较小，对低频信号通过较好，而对高频信号，表现出较强的电感性，阻抗较大，同时，大电容还可以起到局部电荷池的作用，可以减少局部的干扰通过电源耦合出去；容量为0.001~0.1uf的电容，一般为陶瓷电容或云母电容，电感小，谐振频率高，对高频信号的阻抗较小，可以为高频干扰信号提供一条旁路，减少外界对该局部的耦合干扰 9 ~# l, t/ {! i5 z在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。1 } t5 _. k! b; a, t0 v ! s- j& t" ?4 e; t* m( b r 对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。( g9 m/ r$ \; @1 s2 v2 w 在供电电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。, n9 a! p/ q& d6 }7 ] 我来总结一下，旁路实际上就是给高频干扰提供一个到地的能量释放途径，不同的容值可以针对不同的频率干扰。所以一般旁路时常用一个大贴片加上一个小贴片并联使用。对于相同容量的电容的q值我认为会影响旁路时高频干扰释放路径的阻抗，直接影响旁路的效果，对于旁路来说，希望在旁路作用时，电容的等效阻抗越小越好，这样更利于能量的排泄。 : f6 g& x5 v( h" i2 x~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~) w9 ]3 t( @??g3 }2 x6 r! c5 w; ~ 数字电路输出信号电平转换过程中会产生很大的冲击电流，在供电线 ! q; p/ g2 [# c8 e/ ^* u" d和电源内阻上产生较大的压降，使供电电压产生跳变，产生阻抗噪声(亦 0 }# ]# o/ x! ~; k$ ], w??j0^称开关噪声)，形成干扰源。4 ]/ h$ j; b( x# {7 x 一、冲击电流的产生：- p3g7 y. b- z0 q (1)输出级控制正负逻辑输出的管子短时间同时导通，产生瞬态尖峰电流 9 o# t4 w. ~% ]1 x% t(2)受负载电容影响，输出逻辑由“0”转换至“1”时，由于对负载电容的充) h- p! p6 u1 _; b??@ ??电而产生瞬态尖峰电流。 2 f??a5 \4 a. g' p??瞬态尖峰电流可达50ma，动作时间大约几ns至几十ns。 ??a0 r" |: f) g4 t8 a二、降低冲击电流影响的措施：: m6 d$ k??e6 n$ b* ?% }) q (1)降低供电电源内阻和供电线阻抗 3 s& _- j; w& `" w(2)匹配去耦电容9 y: [??g2 ?" y) j/ j$ c#t& s 三、何为去耦电容;z" w5 \??k??s# w& m8 o ??在ic(或电路)电源线端和地线端加接的电容称为去耦电容。3 w5 c0 c7 l??r: | 四、去耦电容如何取值) p6^4 |* e7 s$ u ??去耦电容取值一般为0.01~0.1uf，频率越高，去耦电容值越小。 ! k) k# b0 j0 `' e五、去耦电容的种类 : k' ^5 g1 {3 y& z8 o(1)独石 (2)玻璃釉 (3)瓷片 (4)钽 # d1 [8 d% h: \2 a4 z六、去耦电容的放置3 c: c& ?5 \- m$ u1 i, m1 n ??去耦电容应放置于电源入口处，连线应尽可能短。 9 q1 f??f/ o% p ^~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~??n: b, l5 q7 } [7 r% w! @ 旁路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，在50 -- 60年代，这个词也就有它特有的含义，现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”，但是对（交流）信号而言，这同时又是一个负反馈，为了消除这个影响，就在这个电阻上并联一个足够大的点容，这就叫旁路电容。后来也有的资料把它引申使用于类似情况。 ( o/ a2 t/ j2 t , f h, u3 c: ~) k去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μf。这个电容的分布电感的典型值是5μh。0.1μf的去耦电容有5μh的分布电感，它的并行共振频率大约在7mhz左右，也就是说，对于 10mhz以下的噪声有较好的去耦效果，对40mhz以上的噪声几乎不起作用。1μf、10μf的电容，并行共振频率在20mhz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μf左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按c=1/f，即10mhz取0.1μf，100mhz取 0.01μf。 , i- h) d' \3 m6 w- _: u # i/ @$ ^2 r& g [! b. h. v3 l1 a一般来说，容量为uf级的电容，象电解电容或钽电容，他的电感较大，谐振频率较小，对低频信号通过较好，而对高频信号，表现出较强的电感性，阻抗较大，同时，大电容还可以起到局部电荷池的作用，可以减少局部的干扰通过电源耦合出去；容量为0.001~0.1uf的电容，一般为陶瓷电容或云母电容，电感小，谐振频率高，对高频信号的阻抗较小，可以为高频干扰信号提供一条旁路，减少外界对该局部的耦合干扰1 i6 }, w??@% ^% p, h3 h; e 4 n0 e% m$ v6 ???}; k旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除；去藕是为保正输出端的稳定输出（主要是针对器件的工作）而设的“小水塘”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作；补充一点就是所谓的藕合：是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件 ; }" b6 _) x8 p! k- q- s4 b! x/ b! h# e3 g3 _5 @4 m 有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。7 q2 }8 g" u) p: s7 v1 g. n ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~` & h6 k* ~ h9 `( f4 m4 y在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。 ( t4 f2 [' c: k) l ?? " a" b6 m! ?% w5 b" d%}' x旁路电容 . ~'f6 g* g5 o1 j* q1 b. e 可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路掉的电容，称做“旁路电容”。. o* }' i) e0 w! m 例如当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输出端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大 9 j( d1 s l0 r8 z" l% n对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。 ! f; j# e# q3 c2 g& y~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 4 }5 g3 n% j; o! b3 h* o; f) d去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μf。这个电容的分布电感的典型值是5μh。0.1μf的去耦电容有5μh的分布电感，它的并行共振频率大约在7mhz左右，也就是说，对于10mhz以下的噪声有较好的去耦效果，对40mhz以上的噪声几乎不起作用。1μf、10μf的电容，并行共振频率在20mhz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μf左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按c=1/f，即10mhz取0.1μf，100mhz取0.01μf。 ( j; n0 b- b3 w??h4 w6 _! w~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~8 p$ f% i/ }8 f( x: } 作为一名新手，经常接触到旁路电容和去耦电容的概念，但却搞不清楚他们的区别和作用。 % j??y1 p! k q9 p" b一般设计的板子上ic 的每个电源管脚附近都会放置一个电容作去耦电容，以减小电源阻抗？？那么此ic的某些高速信号是否会把此电容作为高频电流的旁路电容呢？ 5 }8 p! ? |/ z. b请大侠详细解释一下旁路电容和去耦电容。 $ x8 c' w: i. v- g 3 d# x6 n# w. s$ v6 s7 e) k* m我认为去耦电容和旁路电容没有本质的区别,电源系统的电容本来就有多种用途,从为去除电源的耦合噪声干扰的角度看,我们可以把电容称为去耦电容(decoupling),如果从为高频信号提供交流回路的角度考虑,我们可以称为旁路电容(by-pass).而滤波电容则更多的出现在滤波器的电路设计里.电源管脚附近的电容主要是为了提供瞬间电流,保证电源/地的稳定,当然,对于高速信号来说,也有可能把它作为低阻抗回路,比如对于cmos电路结构,在0->1的跳变信号传播时,回流主要从电源管脚流回,如果信号是以地平面作为参考层的话,在电源管脚的附近需要经过这个电容流入电源管脚.所以对于pds(电源分布系统)的电容来说,称为去耦和旁路都没有关系,只要我们心中了解它们的真正作用就行了.
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纸介电容
用两片金属箔做电极，夹在极薄的电容纸中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，然后密封在金属壳或者绝缘材料（如火漆、陶瓷、玻璃釉等）壳中制成。它的特点是体积较小，容量可以做得较大。但是有固有电感和损耗都比较大，用于低频比较合适。?
云母电容
用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质损耗小，绝缘电阻大、温度系数小，适宜用于高频电路。?
陶瓷电容
用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。它的特点是体积小，耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，但容量小，适宜用于高频电路。
铁电陶瓷电容
容量较大，但是损耗和温度系数较大，适宜用于低频电路。?
薄膜电容
结构和纸介电容相同，介质是涤纶或者聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。
聚苯乙烯薄膜电容，介质损耗小，绝缘电阻高，但是温度系数大，可用于高频电路。?
金属化纸介电容
结构和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大，一般用在低频电路中。?
油浸纸介电容
它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较大。?
铝电解电容
它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理，使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大，但是漏电大，稳定性差，有正负极性，适宜用于电源滤波或者低频电路中。使用的时候，正负极不要接反。?
钽、铌电解电容它用金属钽或者铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大、性能稳定、寿命长、绝缘电阻大、温度特性好。用在要求较高的设备中。?
半可变电容
也叫做微调电容。它是由两片或者两组小型金属弹片，中间夹着介质制成。调节的时候改变两片之间的距离或者面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。?
可变电容
它由一组定片和一组动片组成，它的容量随着动片的转动可以连续改变。把两组可变电容装在一起同轴转动，叫做双连。可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。空气介质可变电容体积大，损耗小，多用在电子管收音机中。
聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。?
npo(cog):电气性能最稳定，基本上不随温度、电压与时间的改变面改变，适用于对稳定性要 求高的高频电路；
x7r(2x1):电气性能较稳定,在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直、偶合、旁路与对容量
稳定性要求不太高的鉴频电路，由于x7r是一种强电介质，因面能造出容量比npo介质更大的电容器；
y5v（2f4）（z5u）：具有较低高的介电常数，常用于生产比容较大的、标称容量较高的大容量电容器产品，但其
容量稳定性较x7r差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。
1.14.1、退藕电容的一般配置原则
1. 电源输入端跨接10 ~100uf的电解电容器。如有可能，接100uf以上的更好。
2. 原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片电容，如遇印制板空隙不够，可每4~8个芯片布置一个1?
~ 10pf的但电容。
3. 对于抗噪能力弱、关断时电源变化大的器件，如 ram、rom存储器件，应在芯片的 电源线和地线之间直接入退藕电容。?
4、电容引线不能太长，尤其是高频旁路电容不能有引线。此外，还应注意以下两点：
a、 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电 ，必须采用附图所示的 rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k，c取2.2 ~ 47uf。?
b、 cmos的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。?
由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚，而这些引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。
这样，电压的波动实际上主要是由于电流的不合理分布引起。但电流的分布不合理主要是由于大量的过孔和隔离
带造成的。这种情况下的电压波动将主要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。
? ? 为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛
刺的影响并减少在印制板上的电源环路的辐射。
当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其平滑毛刺的效果最好。这就是为
什么有一些器件插座上带有去耦电容，而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。
去耦电容配置的一般原则如下：?
● 电源输入端跨接一个10～100uf的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uf以上的电解电容器的抗
干扰效果会更好。
● 为每个集成电路芯片配置一个0.01uf的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uf钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500khz～20mhz范围内阻抗小于1ω，而且漏电流很小（0.5ua以下）。
● 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和rom、ram等存储型器件，应在芯片的电源线（vcc）和地线（gnd）间直接接入去耦电容。
● 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
● 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电，必须rc 电路来吸收放电电流。一般 r 取 1 ~ 2k，c取2.2 ~ 47uf。
● cmos的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。
● 设计时应确定使用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器件与pcb功耗决定,可分别选47-1000uf和470-3300uf；高频电容计算为: c=p/v*v*f。
● 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。
● 用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。使用管状电时，外壳要接地。
1.14.2、配置电容的经验值
好的高频去耦电容可以去除高到1ghz的高频成份。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特性较好。设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，提供和吸收该集成电路开门关门瞬间的充放电能；另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nh分布电感，它的并行共振频率大约在7mhz左右，也就是说对于10mhz以下的噪声有较好的去耦作用，对40mhz以上的噪声几乎不起作用。
1uf，10uf电容，并行共振频率在20mhz以上，去除高频率噪声的效果要好一些。在电源进入印刷板的地方和一个1uf或10uf的去高频电容往往是有利的，即使是用电池供电的系统也需要这种电容。每10片左右的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容大小可选10uf。最好不用电解电容，电解电容是两层溥膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感，最好使用胆电容或聚碳酸酝电容。 去耦电容值的选取并不严格，可按c=1/f计算；即10mhz取0.1uf。由于不论使用怎样的电源分配方案，整个系统会产生足够导致问题发生的噪声，额外的
过滤措施是必需的。这一任务由旁路电容完成。一般来说，一个1uf-10uf 的电容将被放在系统的电源接入端，板上每个设备的电源脚与地线脚之间应放置一个0.01uf-0.1uf 的电容。旁路电容就是过滤器。放在电源接入端的大电容（约10uf）用来过滤板子产生的低频（比如60hz 线路频率）。板上工作中的设备产生的噪声会产生从100mhz 到更高频率间的合共振（harmonics）。每个芯片间都要放置旁路电容，这些电容比较小，大约0.1u 左右。
电容器是电路中最基本的元件之一，利用电容滤除电路上的高频骚扰和对电源解耦是所有电路设计人员都熟悉的。但是，随着电磁干扰问题的日益突出，特别是干扰频率的日益提高，由于不了解电容的基本特性而达不到预期滤波效果的事情时有发生。本文介绍一些容易被忽略的影响电容滤波性能的参数及使用电容器抑制电磁骚扰时
需要注意的事项。
1电容引线的作用
在用电容抑制电磁骚扰时，最容易忽视的问题就是电容引线对滤波效果的影响。电容器的容抗与频率成反比，正是利用这一特性，将电容并联在信号线与地线之间起到对高频噪声的旁路作用。然而，在实际工程中，很多人发现这种方法并不能起到预期滤除噪声的效果，面对顽固的电磁噪声束手无策。出现这种情况的一个原因是忽略了电容引线对旁路效果的影响。
实际电容器的电路模型如图1所示，它是由等效电感（esl）、电容和等效电阻（esr）构成的串联网络。
理想电容的阻抗是随着频率的升高降低，而实际电容的阻抗是图1所示的网络的阻抗特性，在频率较低的时候，呈现电容特性，即阻抗随频率的增加而降低，在某一点发生谐振，在这点电容的阻抗等于等效串联电阻esr。
在谐振点以上，由于esl的作用，电容阻抗随着频率的升高而增加，这是电容呈现电感的阻抗特性。在谐振点以上，由于电容的阻抗增加，因此对高频噪声的旁路作用减弱，甚至消失。
电容谐振频率由esl和c共同决定，电容值或电感值越大，则谐振频率越低，也就是电容的高频滤波效果越差。esl除了与电容器的种类有关外，电容的引线长度是一个十分重要的参数，引线越长，则电感越大，电容的谐振频率越低。因此在实际工程中，要使电容器的引线尽量短，电容器的正确安装方法和不正确安装方法如图2所示。
图2 滤波电容的正确安装方法与错误安装方法
根据lc电路串联谐振的原理，谐振点不仅与电感有关，还与电容值有关，电容越大，谐振点越低。许多人认为电容器的容值越大，滤波效果越好，这是一种误解。电容越大对低频干扰的旁路效果虽然好，但是由于电容在较低的频率发生了谐振，阻抗开始随频率的升高而增加，因此对高频噪声的旁路效果变差。表1是不同容量瓷片电容器的自谐振频率，电容的引线长度是1.6mm（你使用的电容的引线有这么短吗？）。
电容值自谐振频率（mhz）电容值自谐振频率（mhz）
1m f1.7820 pf38.5
0.1m f4680 pf42.5
0.01m f12.6560 pf45
3300pf19.3470 pf49
1800 pf25.5390 pf54
1100pf33330 pf60
尽管从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不希望的，但是电容的谐振并不是总是有害的。当要滤除的噪声频率确定时，可以通过调整电容的容量，使谐振点刚好落在骚扰频率上。
2.温度的影响
由于电容器中的介质参数受到温度变化的影响，因此电容器的电容值也随着温度变化。不同的介质随着温度变化的规律不同，有些电容器的容量当温度升高时会减小70%以上，常用的滤波电容为瓷介质电容，瓷介质电容器有超稳定型：cog或npo，稳定型：x7r，和通用型：y5v或z5u三种。不同介质的电容器的温度特性如图2所示。
? ?图 3 不同介质电容器的温度特性
从图中可以看到，cog电容器的容量几乎随温度没有变化，x7r电容器的容量在额定工作温度范围变化12%以下，y5v电容器的容量在额定工作温度范围内变化70%以上。这些特性是必须注意的，否则会出现滤波器在高温或低温时性能变化而导致设备产生电磁兼容问题。
cog介质虽然稳定，但介质常数较低，一般在10～100，因此当体积较小时，容量较小。x7r的介质常数高得多，为2000 ～ 4000，因此较小的体积能产生较大的电容，y5v的介质常数最高，为5000 ～ 25000。 许多人在选用电容器时，片面追求电容器的体积小，这种电容器的介质虽然具有较高的介质常数，但温度稳
定性很差，这会导致设备的温度特性变差。这在选用电容器时要特别注意，尤其是在军用设备中。
3.电压的影响
电容器的电容量不仅随着温度变化，还会随着工作电压变化，这一点在实际工程必须注意。不同介质材料的电容器的电压特性如图3所示。从图中可以看出，x7r电容器在额定电压状态下，其容量降为原始值的70%，而y5v电容器的容量降为原始值的30%！了解了这个特性，在选用电容时要在电压或电容量上留出余量，否则在额定工作电压状态下，滤波器会达不到预期的效果。
综合考虑温度和电压的影响时，电容的变化如图4所示。
5.穿心电容的使用
在实际工程中，要滤除的电磁噪声频率往往高达数百mhz，甚至超过1ghz。对这样高频的电磁噪声必须使用穿心电容才能有效地滤除。普通电容之所以不能有效地滤除高频噪声，是因为两个原因，一个原因是电容引线电感造成电容谐振，对高频信号呈现较大的阻抗，削弱了对高频信号的旁路作用；另一个原因是导线之间的寄生电容使高频信号发生耦合，降低了滤波效果， 穿心电容之所以能有效地滤除高频噪声，是因为穿心电容不仅没有引线电感造成电容谐振频率过低的问题，而且穿心电容可以直接安装在金属面板上，利用金属面板起到高频隔离
作用。但是在使用穿心电容时，要注意的问题是安装问题。穿心电容最大的弱点是怕高温和温度冲击，这在将穿心电容往金属面板上焊接时造成很大困难。许多电容在焊接过程中发生损坏。特别是当需要将大量的穿心电容安装在面板上时，只要有一个损坏，就很难修复，因为在将损坏的电容拆下时，会造成邻近其它电容的损坏。?
随着电子设备复杂程度的提高，设备内部强弱电混合安装、数字逻辑电路混合安装的情况越来越多，电路模块之间的相互骚扰成为严重的问题。解决这种电路模块相互骚扰的方法之一是用金属隔离舱将不同性质的电路隔离开。但是所有穿过隔离舱的导线要通过穿心电容，否则会造成隔离失效。当不同电路模块之间有大量的联线时，在隔离舱上安装大量的穿心电容是十分困难的事情。为了解决这个问题，国外许多厂商开发了“滤波阵列板”，这是用特殊工艺事先将穿心电容焊接在一块金属板构成的器件，使用滤波阵列板能够轻而易举地解决大量导线穿过金属面板的问题。但是这种滤波阵列板的价格往往较高，每针的价格约30元。
1999年，北京天亦通公司开发成功了tlz – 1系列滤波阵列板（专利申请中）。这种滤波阵列板的滤波性能接近国外产品，但价格仅为国外产品的1/10以下。tlz – 1系列滤波阵列板的密度是标准2.54mm，可以直接与扁平电缆插座配合，便于安装，可广泛用于电子设备的滤波隔离（图6）。图7 滤波阵列板用于电路隔离 在电子设备的pcb板电路中会大量使用感性元件和emi滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的普通应用场合以及特殊应用场合。 表面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和能够满足实际空间的要求。除了阻抗值，载流能力以及其他类似物理特性不同外，通孔接插件和表面贴装器件的其他性能特点基本相同。 片式电感在需要使用片式电感的场合，要求电感实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包括谐振发生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形发生电路等等。谐振电路还包括
高q带通滤波器电路。 要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容，
这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中，电感必须具有高q，窄的电感偏差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的要求。 高q电路具有尖锐的谐振峰值。窄的电感偏置保证谐振频率偏差尽量小。稳定的温度系数保证谐振频率具有稳定的温度变化特性。 标准的径向引出电感和轴向引出电感以及片式电感的差异仅仅在于封装不一样。电感结构包括介质材料（通常为氧化铝陶瓷材料）上绕制线圈，或者空心线圈以及铁磁性材料上绕制线圈。 在功率应用场合，作为扼流圈使用时，电感的主要参数是直流电阻（dcr）,额定电流，和低q值。当作为滤波器使用时，希望宽带宽特性，因此，并不需要电感的高q特性。低的dcr可以保证最小的电压降，dcr定义为元件在没有交流信号下的直流电阻。 片式磁珠 片式磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构（pcb电路）中的rf噪声,rf能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信号,而射频rf能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射（emi）。要消除这些不需要的
号能量，使用片式磁珠扮演高频电阻的角色（衰减器），该器件允许直流信号通过，而滤除交流信号。通常高频信号为30mhz以上，然而，低频信号也会受到片式磁珠的影响。
片式磁珠由软磁铁氧体材料组成，构成高体积电阻率的独石结构。涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流损耗随信号频率的平方成正比。 使用片式磁珠的好处： 小型化和轻量化 在射频噪声频率范围内具有高阻抗，消除传输线中的电磁干扰。 闭合磁路结构，更好地消除信号的串绕。 极好的磁屏蔽结构。 降低直流电阻，以免对有用信号产生过大的衰减。 显著的高频特性和阻抗特性（更好的消除rf能量）。 在高频放大电路中消除寄生振荡。 有效的工作在几个mhz到几百mhz的频率范围内。
要正确的选择磁珠，必须注意以下几点：?
1、不需要的信号的频率范围为多少；
2、噪声源是谁；
3、需要多大的噪声衰减；
4、环境条件是什么（温度，直流电压，结构强度）；
5、电路和负载阻抗是多少；
6、是否有空间在pcb板上放置磁珠；
前三条通过观察厂家提供的阻抗频率曲线就可以判断。在阻抗曲线中三条曲线都非常重要，即电阻，感抗和总阻抗。总阻抗通过zr22πfl()2 :=fl来描述。典型的阻抗曲线如下图所示：
通过这一曲线，选择在希望衰减噪声的频率范围内具有最大阻抗而在低频和直流下信号衰减尽量小的磁珠型号。?
片式磁珠在过大的直流电压下，阻抗特性会受到影响，另外，如果工作温升过高，或者外部磁场过大，磁珠的阻抗都会受到不利的影响。 使用片式磁珠和片式电感的原因： 是使用片式磁珠还是片式电感主要还在于应用。在
谐振电路中需要使用片式电感。而需要消除不需要的emi噪声时，使用片式磁珠是最佳的选择。 片式磁珠和片式
电感的应用场合：?
片式电感： 射频（rf）和无线通讯，信息技术设备，雷达检波器，汽车电子，蜂窝电话，寻呼机，音频设备，
pdas（个人数字助理），无线遥控系统以及低压供电模块等。
片式磁珠： 时钟发生电路，模拟电路和数字电路之间的滤波，i/o输入/输出内部连接器（比如串口，并口，键盘，鼠标，长途电信，本地局域网），射频（rf）电路和易受干扰的逻辑设备之间，供电电路中滤除高频传导干扰，计算机，打印机，录像机（vcrs）,电视系统和手提电话中的emi噪声抑止。
铁氧体在抑制电磁干扰中的应用
铁氧体在抑制电磁干扰中的应用
用铁氧体磁性材料抑制电磁干扰（ｅｍｉ）是经济简便而有效的方法，已广泛应用于计算机等各种军用或民
用电子设备。那么什么是铁氧体呢？如何选择，怎样使用铁氧体元件呢？这篇文章将对这些问题作一简要介绍。
一、什么是铁氧体抑制元件 铁氧体是一种立方晶格结构的亚铁磁性材料，它的制造工艺和机械性能与陶
瓷相似。但颜色为黑灰色，故又称黑磁或磁性瓷。铁氧体的分子结构为ｍｏ·ｆe2ｏ3，其中ｍｏ为金属氧化物，通常是ｍnｏ或znｏ。 衡量铁氧体磁性材料磁性能的参数有磁导率μ，饱和磁通密度ｂs，剩磁ｂr和矫顽力ｈc等。 对于抑制用铁氧体材料，磁导率μ和饱和磁通密度ｂs是最重要的磁性参数。磁导率定义为磁通密度随磁场强度的变化率。?
μ＝△ｂ／△ｈ?
对于一种磁性材料来说，磁导率不是一个常数，它与磁场的大小、频率的高低有关。当铁氧体受到一个外磁
场ｈ作用时，例如当电流流经绕在铁氧体磁环上的线圈时，铁氧体磁环被磁化。随着磁场ｈ的增加，磁通密度ｂ
增加。当磁场ｈ场加到一定值时，ｂ值趋于平稳。这时称作饱和。对于软磁材料，饱和磁场ｈ只有十分之几到几
个奥斯特。随着饱和的接近，铁氧体的磁导率迅速下降并接近于空气的导磁率(相对磁导率为１）如图１所示。 ?
图1 铁氧体的b-h曲线?
铁氧体的磁导率可以表示为复数。实数部分μ'代表无功磁导率，它构成磁性材料的电感。虚数部分μ"代
表损耗，如图２所示。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?μ＝μ'－jμ" ? ? ? ? 图2 铁氧体的复数磁导率?
磁导率与频率的关系如图３所示。在一定的频率范围内μ'值（在某一磁场下的磁导率）保持不变，然后随频
率的升高磁导率μ'有一最大值。频率再增加时，μ'迅速下降。代表材料损耗的虚数磁导率μ"在低频时数值较
小，随着频率增加，材料的损耗增加，μ"增加。如图３所示，图中tanδ=μ"/μ'?
二、铁氧体抑制元件的阻抗和插入损耗 当铁氧体元件用在交流电路时，铁氧体元件是一个有损耗的电感器，
它的等效电路可视为由电感ｌ和损耗电阻ｒ组成的串联电路，如图４所示。?
铁氧体元件的等效阻抗ｚ是频率的函数z(f)=r(f) jωl(f)=kωμ"(f) jkωμ'(f)?
式中：ｋ是一个常数，与磁芯尺寸和匝数有关，ω为角频率。 损耗电阻ｒ和感抗jωｌ都是频率的函数，图５是材料８５０磁珠的阻抗、感抗和电阻与频率的关系。在低频端（<１０ｍｈｚ）阻抗小于１０ω，随着频率的增加，由于电阻分量增加，使阻抗增加，电阻逐渐成为主要部分。在频率超过１００ｍｈｚ时，磁珠的阻抗将
大于１００ω。这样就构成一个低通滤波器，使高频噪音信号有大的衰减，而对低频有用信号的阻抗可以忽略，不影响电路的正常工作。这种滤波器优于普通纯电抗滤波器。后者会产生谐振，造成新的干扰，而铁氧体磁珠则没有这种现象。 ? ?图5 铁氧体的阻抗与频率的关系?
铁氧体抑制元件应用时的等效电路如图６所示。图中ｚ为抑制元件的阻抗，ｚs和ｚｌ分别为源阻抗和负载阻
抗，ｚ为铁氧体抑制元件的阻抗。 通常用插入损耗表示抑制元件对ｅｍｉ信号的衰减能力。器件的插入损耗越大，表示器件对ｅｍｉ噪音抑制能力越强。 ? ?图6 铁氧体抑制元件应用电路?
插入损耗的定义为 ? 式中：ｐ１、ｖ１分别为抑制元件接入前，负载上的功率和电压。ｐ２、ｖ２分别为抑制元件接入后，负载上的
功率和电压。插入损耗和抑制元件的阻抗有如下关系： ?
由上式可见，在源阻抗和负载阻抗一定时抑制元件的阻抗越大，抑制效果越好。由于抑制元件的阻抗是频率
的函数，所以插入损耗也是频率的函数。抑制元件的阻抗包括感抗和电阻部分，两部分对插入损耗都有贡献。在低频时，铁氧体的μ"的值较小，损耗电阻较小，主要是感抗起作用。在高频端，铁氧体的μ'值开始下降，而
μ"值增大，所以损耗起主要作用。低频时，ｅｍｉ信号被反射而受到抑制，在高频端，ｅｍｉ信号被吸收并
转换成热能。三、铁氧体抑制元件的应用 铁氧体抑制元件广泛应用于ｐｃｂ，电源线和数据线上。１、铁氧
体抑制元件在ｐｃｂ上的应用 ｅｍｉ设计的首要方法是抑源法，即在ｐｃｂ上的ｅｍｉ源将ｅｍｉ抑制掉。
这个设计思想是将噪音限制在小的区域，避免高频噪音耦合到其他电路，而这些电路通过连线可能产生更强的辐
射。 ｐｃｂ上的ｅｍｉ源来自周期开关的数字电路。其高频电流在电源线和地之间产生一个共模电压降，造
成共模干扰。电源线或信号线会将ｉｃ开关的高频噪声传导或辐射出去。 在电源线和地之间加一个去耦电
容，使高频噪音短路，但是去耦电容常常会引起高频谐振，造成新的干扰。在电路板的电源进口加上铁氧抑制磁
珠会有效的将高频噪音衰减掉。２、铁氧体抑制元件在电源线上的应用 电源线会把外界电网的干扰、开关电
源的噪音传到主机。在电源的出口和ｐｃｂ电源线的入口设置铁氧体抑制元件，既可抑制电源与ｐｃｂ之间的高
频干扰的传输，也可抑ｐｃｂ之间高频噪音的相互干扰。 值得注意的是，在电源线上应用铁氧体元件时有ｄ
ｃ偏流存在。铁氧体的阻抗和插入损耗随着ｄｃ偏流的增加而减少。当偏流增加到一定值时，铁氧体抑制元件会
出现饱和现象。在ｅｍｃ设计时要考虑饱和或插入损耗降低的问题。铁氧体的磁导率越低，插入损耗受ｄｃ偏流
的影响越小，越不易饱和。所以用在电源线上的铁氧体抑制元件，要选择磁导率低的材料和横截面积大的元件。
当偏流较大时，可将电源的出线（ａｃ的火线，ｄｃ的十线）与回线（ａｃ的中线，ｄｃ的地线）同时穿入
一个磁管。这样可避免饱和，但这种方法只抑制共模噪音。３、铁氧体抑制元件在信号线上的应用 铁氧体抑
制元件最常用的地主就是信号线，例如在计算机中，ｅｍｉ信号会通过主机到键盘的电缆线传入到主机的驱动电
路，而后耦到ｃｐｕ，使其不能正常工作。主机的数据或噪音也可通过电缆线传出去。铁氧体磁珠可用在驱动电
路与键盘之间，将高频噪音抑制。由于键盘的工作频率在１ｍｈｚ左右，数据可以几乎无损耗地通过铁氧体磁
珠。 偏平电缆也可用专用的铁氧体抑制元件，将噪音抑制在其辐射之前。４、铁氧体抑制元件的选择 铁
氧体抑制元件有多咱材料和各种形状、尺寸供选择。为选择合适的抑制元件，使对噪音的抑制更有效，设计者必
须知道需要抑制的ｅｍｉ信号的频率和强度，要求抑制的效果即插入损耗值以及允许占用的空间包括内径、外径
和长度等尺寸。４－１铁氧体材料的选择 不同的铁氧体抑制材料，有不同的最佳抑制频率范围，与磁导率有
关。通常材料的磁导率越高，适用抑制的频率就越低。下面是常用的几种抑制铁氧体材料的适用频率范围：
磁导率 最佳抑制频率范围 125 >200mhz 850 ? ? ? ? ? ?30mhz～200mhz
2500 ? ? ? ? ?10mhz～30mhz 5000 <10mhz 在有ｄｃ或低频ａｃ偏流情况下，要考虑到抑制性
能的下降和饱和，尽量选用磁导率低的材料。４－２ 铁氧体抑制元件尺寸的选择 铁氧体材料选定之后，需
要选定抑制元件的形状和尺寸。抑制元件的形状和影响到对噪音抑制的效果。 一般来说，铁氧体的体积越
大，抑制效果越好。在体积一定时，长而细的形状比短而而粗的形状的阻抗要大，抑制效果更好。但在有ｄｃ或ａｃ偏流的情况下，要考虑到饱和问题。铁氧体抑制元件的横截面积越大，越不易饱和，可承受的偏流越大。另外，铁氧体的内径越小，抑制效果越好。 总之，铁氧体抑制元件选择的原则是，在使用空间允许的条件下，
选择尽量长，尽量厚和内孔尽量小的铁氧体抑制元件。５、铁氧体抑制元件的安装 同样的铁氧体抑制元件，
由于安装的位置不同，其抑制效果会有很大区别。 在大部分情况下，铁氧体抑制元件应安装在尽可能接近干扰源的地方。这样可以防止噪音耦合到其他地方，在那些地方可能噪音更难以抑制。但是在ｉ／ｏ电路，在导线或电缆进入或引出屏蔽壳的地方，铁氧体器件，应尽可能靠近屏蔽壳的进出口处，以避免噪音在经过铁氧体抑制元件之前耦合到其他地方。 铁氧体磁管穿在电缆上后要用热缩管封好
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