纳米薄膜的制备方法有哪些, -ag真人官方入口

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小编今天分享给大家的科研内容是石墨烯量子点/聚吡咯/金纳米粒子/聚乙烯醇复合纳米薄膜/聚吡咯/介孔二氧化硅/石墨烯量子点纳米复合材料的相关研究,来看!

石墨烯量子点/聚吡咯/金纳米粒子/聚乙烯醇复合纳米薄膜的制备应用:

?先将聚吡咯包覆石墨烯量子点,再将金纳米粒子修饰在聚吡咯包覆石墨烯量子点表面,进而将石墨烯量子点/聚吡咯/金纳米粒子复合材料分散在聚乙烯醇水溶液中,通过旋涂得到石墨烯量子点/聚吡咯/金纳米粒子/聚乙烯醇复合纳米薄膜.该复合纳米薄膜中聚吡咯有效降低石墨烯量子点与金纳米粒子的聚集,石墨烯量子点与金纳米粒子改善载流子的传输能力;该复合纳米薄膜可作为电活性中间层用于构造信息存储器件,通过调控复合纳米薄膜中聚乙烯醇的含量,可调控基于该复合纳米薄膜的存储器件的存储性能.

聚吡咯/介孔二氧化硅/石墨烯量子点纳米复合材料的制备方法:

制备四氧化三铁/聚吡咯,聚吡咯/介孔二氧化硅纳米粒子,聚吡咯/介孔二氧化硅载药复合材料,聚吡咯/介孔二氧化硅/石墨烯量子点复合材料.本发明的有益效果是:聚吡咯/介孔二氧化硅/石墨烯量子点纳米复合材料具有优良的光转热性能,在近红外光照射下将光转化成热,控制被封装的介孔二氧化硅孔道打开.

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瑞禧ywx.2022.10.25?

易丝帮讯 近日,天津工业大学李伟等人发明提供了一种基于静电纺丝技术制备的热致变色纳米纤维膜及其制备方法,其中将聚乙烯醇与水性聚氨酯以一定比例共混以作为纺丝原液,将温敏变色纳米胶囊作为功能添加剂加入纺丝原液中,经高速剪切乳化,过滤和脱泡后纺丝得到含有温敏变色纳米胶囊的纳米纤维,进而由静电纺丝纤维堆积形成静电纺丝薄膜。该制备方法工艺简单,其中聚乙烯醇使材料具有高强度,水性聚氨酯使其具有高韧性,温敏变色纳米胶囊可实现薄膜的热致变色性能。经该制备方法所制得的膜在具有高强度和韧性的同时,可保持良好储热调温功能,亦具有良好热致变色和温度指示功能,使用安全,用途广泛。  随着社会的进步和人们需求的发展,传统的膜行业逐渐向功能化、感性化、智能化方向转变,品种趋向功能智能一体化。特别是对调温,储能及温度响应的膜材料需求不断增加。温敏变色材料具有颜色随温度变化而改变的特性,在温度显示、医疗卫生、广告、纺织服装、印刷油墨以及笔用油墨等领域得到了广泛应用。有机热致可逆变色材料是目前最为引人注目的材料,与无机类热致可逆变色材料相比,在变色温度的选择性、颜色组合自由度、变色明显性及价格等方面都有显著的优点,因而得到了大范围的应用。  储能调温膜是将相变储能材料与成膜基质复合,得到能自动调节温度的智能膜。调温膜利用物质相变过程中释放或吸收潜热、温度保持不变,具有双向自动调温功能,来应对环境温度的变化,从而达到膜对局部微环境温度的平衡和调节的目的。因此,调温膜作为一种新型材料,在服装织品、建筑、医用纺织等领域有着广泛的应用前景。

图1纳米纤维膜表面形貌图(扫描电子显微图片)。 该发明的有益效果:  该热致变色纳米纤维膜制备方法工艺简单,多种方式可实施,产品热致变色性能、储热调温性能稳定,成本低廉,适于工业化应用。该制备方法所制得的热致变色纳米纤维膜在保持良好储热调温功能的同时,亦具有良好的热致变色能力,使用安全,用途广泛。  以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。附:专利信息专利名 一种热致变色纳米纤维膜及其制备方法申请公布号 cn 109505061 a申请公布日 2019.03.22申请号 201910030656 .0申请日 2019 .01 .11申请人 天津工业大学发明人 李伟 贺雅悦链接地址:http://www.espun.cn/news/detail-772.html

引言

在本文中,我们报道了基于晶片尺度纳米多孔(np)algan的深紫外(duv)分布布拉格反射器(dbr),在280 nm处反射率为95%,使用通过aln/蓝宝石模板上生长的外延周期性堆叠n-al0.62ga0.38n/u-al0.62ga0.38n结构(mocvd)。在加热的氢氧化钾水溶液中,采用简单的一步选择性湿法蚀刻法制备了dbr。为了研究氢氧化钾电解液温度对纳米孔形成的影响,计算了蚀刻过程中的电荷消耗量,并用扫描电镜(sem)和原子力显微镜(afm)对dbr的表面和截面形貌进行了表征。随着电解质温度的升高,纳米孔增大,电荷量减少,这表明刻蚀过程是电化学和化学蚀刻的结合。三角形的纳米孔和六边形的凹坑进一步限制了化学蚀刻过程。我们的工作证明了一种简单的湿蚀刻来制造高高效的dbr,这将适用于基于algan的microc duv器件。

基于algan的深紫外(duv)垂直腔表面发射激光器、谐振腔led和探测器在灭菌、通信、数据存储、生化检测等方面具有广泛的应用潜力。高折射率氮化物分布布拉格反射器(dbrs)由高折射率和低折射率的交替层组成,是这些微腔结构器件运行的重要要求1。在过去的几十年里,只有少数研究小组报道了氮化物深紫外线(duv)dbr的制备,主要是aln/algan和alinn/algan2-8。不幸的是,由于低折射率对比度,或由于大晶格和热不匹配而限制晶体质量,它们表现出不充分的反射率。

实验

如图1a所示,外延结构由1.5μm厚的aln bufer和40对n-al0.62ga0.38n/无意的al0.62ga0.38n(28nm/30nm)dbr层组成,生长在2-in上。c平面蓝宝石衬底采用金属有机化学气相沉积(mocvd)。在生长过程中,以三甲基铝(tma)、三甲基镓(tmg)和氨(氨)分别作为铝、镓和氮源。硅烷(硅烷)为n型掺杂气体。氢气被用作载气。在这种生长模式下,algan flms的te表面为iii极性。n-al0.62ga0.38n的te硅掺杂浓度为4×1018cm?2,无意的al0.62ga0.38n(u-al0.62ga0.38n)约为1×1016cm?2。在电化学蚀刻前,在样品边缘焊接铟形成良好的电接触。将10个algan样品放在1m氢氧化钾水溶液中,以铂(pt)板为对电极,阳极氧化蚀刻5 min。在蚀刻过程中,用电加热板加热恒温。在蚀刻后,样品用去离子水冲洗,并在n2中干燥。

图1. (a)结构示意图;在不同电解质温度下的氢氧化钾电解质中制备的(b) te反射率谱,未蚀刻样品和在65°c下的模拟;在(c) 25°c,(d)45°c,(d)45°c,(e) 65°c和(f) 85°c的横断面扫描电镜图像。?

结果与讨论

图1b显示了在不同的电解质温度下,在25 v直流偏置下蚀刻的np-dbr的反射率谱。te腐蚀样品的回复率在duv地区低(<30%),并明显下降在257海里对应的吸收边缘al0.62ga0.38n。发生ece,回流峰出现在278海里附近,峰值回复率增加电解液加热从25到65°c,然后减少在85°c.tus,在65时最高,为95%°c.为了研究电解液温度对回流率的影响,对不同电解液温度下制备的dbr的截面形态进行了表征。如图1c-e所示,纳米孔呈明显的层状分布,集中在n-al0.62ga0.38n中。(江苏英思特半导体科技有限公司)

同时,电子(e?)被转移到pt电极上,参与还原反应:2h2o 2e?→h2 2oh?。根据法拉第电解定律,电流密度和通过源计的电荷量分别与ece速率和algan进行氧化还原反应的质量成正比。图3a显示了在25 v下ece过程中的j-t图。te电流在23 s蚀刻后下降到0,表明ece过程发生在frst 23 s内。当温度升高时,由于氧化物在较热的氢氧化钾溶液中溶解速度较快,初始电流密度增加。图3b为ece过程中的电荷消耗量,这是通过积分j?t图得到的。随着温度的升高,te电荷的数量降低,说明氧化还原反应的质量降低。?(江苏英思特半导体科技有限公司)

图3.在25 v和不同温度下的氢氧化钾溶液中蚀刻的dbrs的(a)j-t图;(b) te集成电荷密度随温度的函数;(c)电化学蚀刻单元示意图,在25 v和不同温度下的氢氧化钾溶液中蚀刻的纳米孔和algan晶体结构。

结论

综上所述,通过在热氢氧化钾水溶液中蚀刻40对n-al0.62ga0.38n/ual0.62ga0.38n flm,成功地制备了一种晶片级的duv dbr。te ec扩大了电化学蚀刻形成的纳米孔的尺寸,从而提高了n-algan层的孔隙率,通过优化电解质温度,在280 nm处获得了95%的反射率。采用简单的蚀刻方法可以避免制备晶片级duv dbr在外延生长过程中由于晶格和热错配而引起的各种问题,这对于基于algan的duv微腔器件的制备具有重要意义。(江苏英思特半导体科技有限公司)

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