bi4ti;o12-bistinbo, (bit-btn)和bi4ti3o12-srbi4ti4o1s(bit-sbti)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜
我们采用溶胶-凝胶法制备bi4ti;o12-bistinbo,( bit-btn)bi4ti;o12-srbiti4o1s
(bit-sbti)铋层状钙钛矿共生结构铁电薄膜，研究了制备工艺和结构变化对薄膜结
构和性能的影响，为高性能、低成本铁电材料的制备提供一种有效方法。
利用p-100 硅为衬底，采用旋涂法制备薄膜，整个溶胶凝胶法制备铁电铋层状共生结构薄膜的工艺过程如图所示。
混合匀胶法制备薄膜 步骤一 根据实验配比需要，将btn前驱液与bit前驱液充分搅拌2小时，制备出bit-btn前驱液;用同样的方式制备bit-sbti前驱液; ? 步骤二 设置好匀胶机参数:转速为4000r/min，启动时间为5s，甩胶时间为30s; ? 步骤三 打开真空泵，将衬底放置在匀胶机上，然后启动匀胶机，将前驱液用滴管滴到正在旋转的衬底上; 步骤四 将制备好的湿膜放置到120c的红外干燥箱内干燥5分钟，使部分有机溶剂挥发，防止在后续的热处理过程中薄膜升温速度过快导致龟裂; 步骤五 让预热过的薄膜放置在300c的恒温热盘上进行烘烤10min,使有机溶剂挥发和有机物燃烧，形成无定形态的薄膜，在烘烤过程中，为避免空气中粉尘杂质的影响，好用盖子盖住硅片 步骤六 等薄膜自然冷却后，重复上述过程，直到薄膜达到所需要的厚度; ? 步骤七 把终所获得的薄膜放置到管式炉中，从室温以15c/min的升温速率升至设定温度，在氧气气氛(约2l/min)中退火处理30min，即可获得所需薄膜。
混合匀胶法制备薄膜流程图
交替法制备薄膜
该方法制备工艺参数与混合匀股法相同，只是沉积薄膜的方式有所不同，其具体过程如图所示。
交替匀胶法制备薄膜流程图
研究结果:
采用溶胶-凝胶法能够制备出表面平整、晶粒均匀的bit-btn 和bit-sbti共生结构铁电薄膜。在0.1mol/l的较佳前驱液浓度下制备出的薄膜表面均匀无裂痕，并且晶粒生长呈现随机取向;较佳的退火温度为700°c，此时薄膜的铁电性能好。
中文名称 英文名称/别名 cas号
钛酸钡（batio3） barium titanate 12047-27-7
钛酸钾（k4tio4） potassium titanate/偏钛酸钾 12030-97-6
钛酸钠 sodium titanate na
钛酸锶（srtio3） strontium titanate na
钛酸钾晶须 potassium titanate whisker na
纳米级钛酸钾晶须 nanometer potassium titanate whisker na
高强度钛酸钾晶须 high strength potassium titanate whisker na
钛酸钾片晶 potassium titanate lamellae na
其他钛酸盐 other titanates na
钛酸铋（bi4ti3o12） bismuth titanate crystals na
钛酸钙(catio3) calcium tianat/三氧化钛钙 12049-50-2
钛酸镁（mgtio3） magnesium titanium oxide 12032-30-3
钛酸钾纳 potassium sodium titanate na
钛酸硅钾 potassium silicon titanate na
钛酸硅钠 sodium silicate titanate na
二氧化钛（tio2) titanium dioxide 13463-67-7
苯甲胺铅溴 phenethylammonium lead bromide 131457-16-4
苯乙胺铅碘 phenethylammonium lead iodide ??
苯甲胺铅碘 phenmethylammonium lead iodide 256222-08-9
丁胺铅溴 butylammonium lead bromide na
丁胺铅碘 butylammonium lead iodide 132069-10-4
1,4-丁二胺氢溴酸盐 1,4-butanedi ammonium bromide 18773-04-1
1,4-丁二胺氢碘酸盐 1,4-butanediammonium iodide 916849-52-0
叔丁基溴化铵（叔丁胺溴） tert-butylammonium bromide 60469-70-7
叔丁基氯化铵（叔丁胺氯） tert-butylammonium chloride 10017-37-5
叔丁基碘化铵（叔丁胺碘） tert-butylammonium iodide 39557-45-4
/ 53916-94-2
苯乙基氯化胺 phenethylammonium chloride 156-28-5
苯乙基碘化胺 phenethylammonium iodide 151059-43-7
苯甲基溴化胺 phenmethylammonium bromide 37488-40-7
苯甲基氯化胺 phenmethylammonium chloride 3287-99-8
苯甲基碘化胺 phenmethylammonium iodide 45579-91-7
苯基碘化胺 phenylammonium iodide 45497-73-2
异丁基溴化铵（异丁胺溴） iso-butylammonium bromide 74098-36-5
异丁基氯化铵（异丁胺氯） iso-butylammonium chloride 5041-9-8
异丁基碘化铵（异丁胺碘） ch(ch3)2ch2nh3i （i-bai） na
甲脒溴基钙钛矿 ??甲脒铅溴盐 formamidinium bromide perovskiteformamidinium lead bromide 1008105-17-6
甲脒碘基钙钛矿 ??甲脒铅碘盐 formamidinium iodide perovskiteformamidinium lead iodide 1008105-17-6
十二烷基溴化胺（十二胺溴） dodecylammonium bromide 26204-55-7
十二烷基氯化胺（十二胺氯） dodecylammonium chloride 929-73-7
辛基溴化胺（辛胺溴） octylammonium bromide 14846-47-0
辛基氯化胺（辛胺氯） octylammonium chloride 1838-08-0
丁基溴化胺 butylammonium bromide 15567-09-6
丁基氯化胺 butylammonium chloride 3858-78-4
丁基碘化胺 butylammonium iodide 36945-08-1
丙基溴化胺 propylammonium bromide 4905-83-3
丙基氯化胺 propylammonium chloride 556-53-6
丙基碘化胺 propylammonium iodide 14488-45-0
丙胺铅溴 propylammonium lead bromide na
丙胺铅碘 propylammonium lead iodide 1646171-78-9
乙基溴化胺 ethylammonium bromide 593-55-5
乙基氯化胺 ethylammonium chloride 557-66-4
乙基碘化胺 ethylammonium iodide 506-58-1
乙胺铅溴 ethylammonium lead bromide 17251-33-1
乙胺铅碘 ethylammonium lead iodide 1640335-04-1
甲基溴化胺 methylammonium bromide 6876-37-5
甲基氯化胺 methylammonium chloride 593-51-1
甲基碘化胺 methylammonium iodide 14965-49-2
甲胺溴基钙钛矿 ??甲胺铅溴盐 methylammonium bromide perovskitemethylammonium lead bromide 69276-13-7
甲胺铅氯溴盐 methylammonium lead chloride bromide 479066-09-6
甲胺铅氯碘盐 methylammonium lead chloride iodide 1446121-07-8
甲胺碘基钙钛矿 ??甲胺铅碘盐 methylammonium iodide perovskitemethylammonium lead iodide 69507-98-8
甲胺铅氯碘盐 methylammonium lead chloride iodide 1472068-56-6
溴化铯 cesium bromide 7787-69-1
氯化铯 cesium chloride 7647-17-8
碘化铯 cesium iodide 7789-17-5
cesium lead bromide 15243-48-8
cesium lead chloride 15203-83-5
三碘化铅铯 (低含水量) cesium lead iodide 18041-25-3
三[2-(1h-吡唑-1-基)吡啶]钴（iii）三(六氟磷酸盐) tris(2-(1h-pyrazol-1-yl)pyridine)-cobalt(iii)tris(hexafluorophosphate) 1346416-71-4
三[4-叔丁基-2-(1h-吡唑-1-基)吡啶]钴（iii）三(1,1,1-三氟-n-[(三氟甲基)磺酰基]甲烷磺酰胺盐) tris(2-(1h-pyrazol-1-yl)-4-tert-butylpyridine)-cobalt(iii)tris(bis-(trifluoromethylsulfonyl)imide)) 1447938-61-5
胍基氢溴酸盐 guanidinium bromide 19244-98-5
胍基氢碘酸盐 guanidinium iodide 19227-70-4
己胺氢溴酸盐 hexanelammonium bromide 7334-95-4
己胺氢碘酸盐 hexaneammonium iodide 54285-91-5
甲脒氢溴酸盐 formamidinium bromide 146958-06-7
甲脒盐酸盐 formamidinium chloride 6313-33-3
甲脒氢碘酸盐 formamidinium iodide 879643-71-7
1,6-己二胺氢溴酸盐 1,6-hexanedi ammonium bromide 24731-81-5
1,6-己二胺氢碘酸盐 1,6-hexanedi ammonium iodide 20208-23-5
双三氟甲烷磺酰亚胺锂 lithium bis(trifluoromethanesulphonyl)imide 90076-65-6
甲基醋酸胺 methylammonium acetate 6998-30-7
1-萘甲基溴化铵 1-naphthylmethylammonium bromide 217309-83-6
1-萘甲基碘化铵 1-naphthylmethylammonium iodide 256222-11-4
辛基碘化胺（辛胺碘） octylammonium iodide 60734-63-6
9-十八烯基氯化胺（油胺氯） oleylammonium chloride 41130-29-4
1,8-辛二胺氢溴酸盐 1,8-octanedi ammonium bromide 92050-17-4
1,8-辛二胺氢碘酸盐 1,8-octanediammonium iodide 2044283-92-1
苯丁基溴化铵 benzenebutanammonium bromide 120375-52-2
无水醋酸铅，无水乙酸铅 lead acetate 301-04-2
苯丁基碘化铵 phenylbutylammonium iodide na
溴化铅 lead(ii) bromide 10031-22-8
氯化铅 lead(ii) chloride 7758-95-4
碘化铅 lead(ii) iodide 10101-63-0
苯基溴化铵 benzeneammonium bromide 542-11-0
1,4-苯二胺氢溴酸盐 1,4-benzenediammonium bromide 116469-01-3
1,4-苯二胺氢碘酸盐 1,4-benzenediammonium iodide 116469-02-4
聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺] poly[bis(4-phenyl)(4-butylphenyl)amine] 719995-99-0
2,5-双(4,4’-二甲氧基三苯胺基)-3,4-乙烯二氧噻吩 2,5-bis(4,4’-bis(methoxyphenyl)aminophen-4-yl)-3,4-ethylenedioxythiophene na
wyf? 01.06
采用溶胶-凝胶法在玻璃上制备了锐钛矿型tio_2和过渡金属铁、锌离子掺杂的tio_2薄膜,并通过xrd、xps、afm表征了合成的薄膜。结果表明铁和锌离子掺入后,tio_2薄膜变的更加致密。铁离子和锌离子分别以fe_2o_3和zno的形式存在,在紫外光照射下,tio_2薄膜表现明显的亲水性,金属离子掺杂的tio_2薄膜,亲水性能明显增强,铁离子掺入对光催化降解甲基橙有一定的抑制作用;少量的锌离子掺入对光催化降解甲基橙有促进作用,锌离子掺入量增大后,效果并不明显。
?
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纳米二氧化钛（tio2）因其稳定性好，生产成本低，活性较高而在光催化领域受到人们极大的重视。然而二氧化钛的禁带宽度大，并且二氧化钛生成的光生电子-空穴对在转移的过程中极容易复合。因此，可通过掺杂改性tio2来降低其光生电子-空穴对的结合效率，增大吸收光谱范围，达到增强tio2光催化活性的目的。
采用一步热分解尿素的方法制得淡黄色类石墨碳氮化合物（g-c3n4）粉末，然后采用溶胶凝胶法分别制得不同比例掺杂的 g-c3n4/tio2、sn-g-c3n4/tio2及cds-g-c3n4/tio2纳米复合材料，并通过刮涂法在碳钢及ito导电玻璃表面制备涂层，利用x射线衍射，透射电子显微镜，紫外-可见光漫反射吸收光谱，红外光谱对纳米复合粉体进行结构表征，电化学光电流、动态极化及交流阻抗等测试对纳米复合涂层进行光电化学性能测定。
g-c3n4的加入能抑制tio2晶粒的生长并使g-c3n4/tio2粉体的光吸收边位置明显红移。掺杂改性后的二氧化钛表现出较高的光电化学性能，这归结于g-c3n4和tio2之间的异质结结构能有效的传输电子，增强光生电子-空穴对的分离能力。 tio2/g-c3n4/cds-cdse复合材料 cdseqd-eu~(3 )复合纳米材料 石墨烯纳米带/壳聚糖/cdse量子点复合材料 cdte的ii型水溶性近红外量子点 ag2se量子点 cspbbr3钙钛矿量子点 油酸修饰的laf3:er,yb纳米颗粒 wo3氧化钨纳米颗粒 nayf4:yb3 ,er3 稀土上转换发光纳米颗粒 pmma/zno纳米复合薄膜 纳米银修饰的二氧化钛纳米片 zno纳米棒/pvc复合材料 纳米zno/聚苯乙烯的复合材料 mofs固载的碲化镉量子点(cdte qds)
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